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元件参数资料
>
参数目录40442
> FDC6321C MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6
型号:
FDC6321C
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDC6321C PDF
产品变化通告
Design/Process Change 11/May/2007
Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图
MOSFET SuperSOT-6
标准包装
1
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
680mA,460mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
6-SSOT
包装
标准包装
产品目录页面
1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDC6321CDKR
查看FDC6321C代理商
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